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GNP2130TEC-ZE2

GNP2130TEC-ZE2

ROHM Semiconductor
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

ECOGAN, 650V 14.5A DFN8080CK, E-

库存:

GNP2070TEC-ZE2

GNP2070TEC-ZE2

ROHM Semiconductor
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

ECOGAN, 650V 27.2A DFN8080CK, E-

库存:

ICPB2002-1-110I

ICPB2002-1-110I

Microchip Technology
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT

库存:

ICPB2005-1-110I

ICPB2005-1-110I

Microchip Technology
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

DC-12 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT

库存:

ICPB1005-1-110I

ICPB1005-1-110I

Microchip Technology
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

DC-14 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT

库存:

ICPB1010-1-110I

ICPB1010-1-110I

Microchip Technology
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT

库存:

ICPB1020-1-110I

ICPB1020-1-110I

Microchip Technology
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

DC-14 GHZ 100W DISCRETE GAN HEMT

库存:

MMRF1314H-1200

MMRF1314H-1200

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET LDMOS 52V NI1230

库存:

MMRF1050HR6

MMRF1050HR6

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

库存:

AFV121KH-960MHZ

AFV121KH-960MHZ

NXP USA Inc.
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管

RF MOSFET LDMOS 50V NI1230

库存:

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